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连云港市加贝碳化硅有限公司

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碳化硅如何生成?

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碳化硅如何生成?

发布日期:2018-12-13 00:00 来源: 点击:

脱氧剂厂家加贝碳化硅小编今天和大家简单谈谈江苏碳化硅是如何生成的。

( 一)用二氧化硅和碳(煤)合成碳化硅

反应式:Si02+3C→SiC+2CO

采用混料机混料,控制水分为2%~3%,混合后料容重为1.4~1.6g/cm3。装料顺序是在炉底先铺上一层未反应料,然后添加新配料到一定高度(约炉芯到炉底的二分之一),在其上面铺一层非晶形料,然后继续加配料至炉芯水平。

炉芯放在配料制成的底盘上,中间略凸起以适应在炉役过程中出现的塌陷。炉芯上部铺放混好的配料,同时也放非晶质料或生产未反应料,炉子装好后形成中间高、两边低(与炉墙平)。

炉子装好后即可通电合成,以电流电压强度来控制反应过程。当炉温升到1500℃时,开始生成β-SiC,从2100℃开始转化成α-SiC,2400℃全部转化成α-SiC。合成时间为26~36h,冷却24h后可以浇水冷却,出炉后分层、分级拣选。破碎后用硫酸酸洗,除掉合成料中的铁、铝、钙、镁等杂质。


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(二)用金属硅合成碳化硅

反应式:Si+C=SiC

采用高纯度金属硅粉和高纯度碳粉(石墨粉)、在真空或保护气氛下加热合成。在1150~1250℃元素硅(Si)与碳(C)反应生成β-SiC,具有非晶态结构,到1350℃开始有β-SiC结晶。在2000℃生成β-SiC结晶。高于2000℃可生成α-SiC。

用这种方法生产的碳化硅,虽然成本高,但可生产出高纯度的碳化硅材料。

(三)用气体法合成碳化硅

用四氯化硅(SiCl4)和碳氢化物(甲苯)反应,在1200~1800℃是生成SiC的最合适的温度。用化学计量比Si:C=1:1的硅有机化合物,甲基三氯硅烷热解可制取SiC。在1400~1900℃生成无色的SiC单晶体。

用这种方法可以生产出高纯的半导体、单晶体SiC,可在难熔金属或其他化合物及石墨制品上制取致密的保护层。还可制取SiC高强度晶须及纤维。

(四)合成碳化硅的理化性能

(1)合成碳化硅的国家标准(GB/T2480—1981)

(2)密度:以46号粒度为代表号绿碳化硅不小于3.18g/cm3;黑碳化硅不小于3.12g/cm3;

(3)粒度组成:应符合GB/T2477-1981《磨料粒度及其组成》的规定;

(4)铁合金粒允许含量为零;

(5)磁性物允许含量:不大于0.2%。

想要了解更多关于碳化硅生产厂家的相关资讯,可以详细咨询脱氧剂厂家加贝碳化硅

相关标签:江苏碳化硅

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